Patent
2025
- 김경민, 박우준
“뉴로모픽 회로 유닛”
한국특허출원 2025년 2월 24일 / 10-2025-0023309
2024
- 조힘찬, 이재환, 이승우, 김경민, 연성범, 이민구, 김근영
“반도체 소자, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 처리 장치의 동작 방법”
한국특허출원 2024년 7월 31일 / 10-2024-0101667
- 김산하, 김경민, 강석경, 박주성, 전찬수
“연마 가공방법 및 연마 가공장치”
한국특허출원 2024년 5월 2일 / 10-2024-0058665
2023
- 김산하, 김경민, 강석경, 박주성
“반도체 회로 제조방법”
한국특허출원 2023년 10월 18일 / 10-2023-139596 - 김경민, 고명찬
“저온공정이 가능한 ZrO2 강유전 커패시터
한국특허출원 2023년 03월 24일 / 10-2023-0038897
2022
- 김경민, 인재현, 김광민, 이영현
“SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE”
해외특허출원 (미국) 2022년 10월 28일 / US20230134585A1 - 김경민, 김광민, 인재현
“모트 멤리스터 기반 진성난수생성기 및 진성난수생성방법”
한국특허출원 2022년 05월 17일 / 10-2022-0060216
2021
- 김경민, 인재현, 김광민, 이영현
“반도체 메모리 소자”
한국특허출원 2021년 10월 29일 / 10-2021-0146697
~ 2018
- Warren Jackson, Jianhua Yang, Kyung Min Kim, Zhiyong Li
“Multilayered memristors”
해외특허등록 (미국) 2018년 7월 17일 / US10026896B2 - Kyung Min Kim, Ning Ge, Jianhua Yang
“Sensing an output signal in a crossbar array based on a time delay between arrival of a target output and a sneak output”
해외특허등록 (미국) 2018년 4월 3일 / US9934852B2 - Ning Ge, Jianhua Yang, Stanley Williams, Kyung Min Kim
“Apparatus having first and second switching materials”
해외특허등록 (미국) 2017년 10월 17일 / US9793322B2 - Chang-Bum Lee, Chang-Jung Kim, Young-Bae Kim, Myoung-Jae Lee, Dong-Soo Lee, Man Chang, Seung-Ryul Lee, Kyung-min Kim
“Multi-bit memory elements, memory devices including the same, and methods of manufacturing the same”
해외특허등록 (미국) 2016년 11월 01일 / US9484087B2 - Kyung-min Kim, Young-Bae Kim, Chang-Jung Kim, Seung-Ryul Lee, Man Chang, Sung-Ho Kim, Eun-ju CHO
“Resistive switching devices and memory devices including the same”
해외특허등록 (미국) 2015년 10월 6일 / US9153778B2 - Ingyu Baek, Yeong-Taek Lee, Kyungmin Kim
“Resistive memory devices and methods of operating the same”
해외특허등록 (미국) 2015년 9월 8일 / US9129675B2 - Kyung-min Kim, Young-Bae Kim, Chang-Jung Kim, Sung-Ho Kim, Sae-jin KIM, Seung-Ryul Lee, Man Chang, Eun-ju CHO
“Resistance switching material element and device employing the same”
해외특허등록 (미국) 2015년 8월 4일 / US9099639B2 - Kyung-min Kim, Young-Bae Kim, Eun-ju CHO
“2-terminal switching device”
해외특허등록 (미국) 2015년 6월 2일 / US9048839B2 - Man Chang, Young-Bae Kim, Dong-Soo Lee, Chang-Bum Lee, Seung-Ryul Lee, Chang-Jung Kim, Myoung-Jae Lee, Kyung-min Kim
“Semiconductor devices including variable resistance elements and methods of operating semiconductor devices”
해외특허등록 (미국) 2015년 4월 7일 / US9001551B2 - Man Chang, Young-Bae Kim, Dong-Soo Lee, Chang-Bum Lee, Seung-Ryul Lee, Chang-Jung Kim, Myoung-Jae Lee, Kyung-min Kim
“Nonvolatile memory devices and methods of driving the same”
해외특허등록 (미국) 2015년 2월 3일 / US8947905B2 - 황철성, 최병준, 김경민
“저항변화기록소자, 그 제조방법, 정보기록방법 및정보판독방법”
한국특허등록 2009년 6월 24일 / 10-0905420-0000